什么是相控陣探頭?相控陣探頭有哪些類型?相控陣探頭和常規(guī)探頭有什么區(qū)別?
什么是相控陣探頭?相控陣探頭有哪些類型?相控陣探頭和常規(guī)探頭有什么區(qū)別?
什么是相控陣探頭?
圖1.相控陣探頭用于產(chǎn)品檢測(cè)
什么是相控陣探頭?相控陣探頭有哪些類型?相控陣探頭和常規(guī)探頭有什么區(qū)別?如果您有這樣的疑問,就來(lái)看看我們的解答吧。我們銷售各種工業(yè)和醫(yī)療使用的超聲波相控陣探頭,也可以按照您的需要進(jìn)行定做超聲相控陣探頭。詳情請(qǐng)聯(lián)系我們。
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陣列是大量的同類物體排列組合的方式。 NDT超聲陣列的最簡(jiǎn)單的形式應(yīng)該是以增加檢測(cè)的覆蓋范圍和 / 或提高檢測(cè)速度為目的,將一系列單晶探頭排列在一起的形式。以下為應(yīng)用這種陣列探頭的示例:
? 管件檢測(cè):在探測(cè)管件的裂縫與分層缺陷,以及測(cè)量管件的總體厚度時(shí)經(jīng)常會(huì)使用多個(gè)探頭。
? 鍛件金屬工件的檢測(cè):在這種檢測(cè)中,通常需要使用多個(gè)探頭在不同深度聚焦以探測(cè)出以帶狀形式排列的細(xì)小缺陷。
? 復(fù)合材料及金屬檢測(cè):在材料的表面上線性排列多個(gè)探頭可以提高對(duì)復(fù)合材料中的分層缺陷或金屬中的腐蝕的檢測(cè)能力。
? 鍛件金屬工件的檢測(cè):在這種檢測(cè)中,通常需要使用多個(gè)探頭在不同深度聚焦以探測(cè)出以帶狀形式排列的細(xì)小缺陷。
? 復(fù)合材料及金屬檢測(cè):在材料的表面上線性排列多個(gè)探頭可以提高對(duì)復(fù)合材料中的分層缺陷或金屬中的腐蝕的檢測(cè)能力。
進(jìn)行這些檢測(cè),不僅需要高速、多通道超聲設(shè)備帶有適當(dāng)?shù)拿}沖發(fā)生器、接收器,以及可對(duì)每個(gè)通道進(jìn)行處理的邏輯門,還需要將每個(gè)探頭仔細(xì)固定好,以正確設(shè)置檢測(cè)區(qū)域。
我們可以將這種最簡(jiǎn)單的相控陣探頭的排列形式想象成包裝為一體的一系列單個(gè)晶片(參見圖1)。實(shí)際情況是這些晶片要比常規(guī)探頭小得多,脈沖可以對(duì)這些被編成組的晶片進(jìn)行激勵(lì),以產(chǎn)生可直接進(jìn)行控制的波前。這種 “ 電子聲束形成 ” 的方式可以在不移動(dòng)探頭的情況下高速對(duì)多個(gè)檢測(cè)區(qū)域進(jìn)行檢測(cè)與分析。后面的章節(jié)對(duì)此有更詳細(xì)的介紹。
相控陣探頭可以有各種尺寸、形狀、頻率及晶片數(shù)量,所有這些探頭的共同特點(diǎn)是都裝有一個(gè)被分割成若干段的壓電晶片。
用于工業(yè) NDT 的現(xiàn)代相控陣探頭一般由壓電復(fù)合材料構(gòu)建,具體地說(shuō)就是許多細(xì)小、極薄的壓電陶瓷棒被嵌在聚合物矩陣中。雖然制造這種探頭會(huì)復(fù)雜一些,但是與在其它方面設(shè)計(jì)相似的壓電陶瓷探頭相比,這種復(fù)合材料探頭在一般情況下可提供的靈敏度會(huì)高出 10 dB 到30 dB。分成小段的金屬鍍層用于將條狀的復(fù)合材料分割成若干可單獨(dú)接收電子脈沖激勵(lì)的晶片個(gè)體。這個(gè)被分割成小段的晶片被裝入探頭組合件中。探頭組合件包含一個(gè)保護(hù)性匹配層、一個(gè)背襯層、線纜連接器以及一個(gè)外殼 (參見圖 2)。
圖2.相控陣探頭結(jié)構(gòu)圖
相控陣探頭根據(jù)以下基本參數(shù)從功能上被分成不同的類別:
類型:大多數(shù)相控陣探頭屬于角度聲束類型,與塑料楔塊、平直塑料靴(即零度楔塊)或延遲塊一起使用。此外,還有直接接觸式探頭和水浸式探頭。
頻率:超聲缺陷探測(cè)一般使用 2 MHz 到 10 MHz 之間的頻率,因此大多數(shù)相控陣探頭都屬于這個(gè)頻率范圍。此外,還有頻率更低或更高的探頭。使用常規(guī)探頭,穿透性能會(huì)隨著頻率的降低而增加,而分辨率及聚焦銳利度會(huì)隨著頻率的升高而增強(qiáng)。
晶片數(shù)量:最常用的相控陣探頭一般有 16 到 128 個(gè)晶片,有些探頭的晶片多達(dá) 256 個(gè)。隨著晶片數(shù)量的增多,聲波聚焦與電子偏轉(zhuǎn)的能力會(huì)增強(qiáng),同時(shí)檢測(cè)所覆蓋的區(qū)域也會(huì)擴(kuò)大,然而探頭和儀器的成本費(fèi)用也會(huì)增加。每個(gè)晶片被單獨(dú)脈沖激勵(lì),以創(chuàng)建希望得到的波前。因此這些晶片排列方向的維度通常被稱為主動(dòng)方向或偏轉(zhuǎn)方向。
晶片尺寸:隨著晶片寬度的減小,聲束電子偏轉(zhuǎn)的性能會(huì)增強(qiáng),但是要覆蓋大區(qū)域就需要有更多的晶片,因此費(fèi)用也會(huì)增加。
相控陣探頭的維度參數(shù)一般被定義如下:
圖3.相控陣探頭晶片參數(shù)說(shuō)明
儀器軟件利用這些信息生成所需的聲束形狀。如果探頭識(shí)別軟件沒有將這些信息自動(dòng)輸入到儀器中,則用戶在設(shè)置過(guò)程中要輸入這些信息。